193 nm SLM 单频种子源作为准分子前级放大种子源的混合高功率激光器技术路线
核心结论
公开资料支持“固体 193.4 nm 单纵模/窄线宽种子源 + ArF 准分子功率放大器”的混合激光路线。Gigaphoton 已公开相关专利与样机论文,小松系产品线则提供高重频、窄线宽 ArF 放大平台基础。该路线的产品化关键不在概念可行性,而在 DUV 光学寿命、种子源稳定性、ASE 抑制、气体/放电模块寿命和系统同步控制讨论范围与术语界定
讨论中的 SLM 按激光器语境理解为 single-longitudinal-mode,即单纵模或窄线宽相干种子源。
讨论对象是 193 nm 深紫外高功率激光器,尤其关注将固体 193 nm 相干种子注入 ArF 准分子增益介质进行功率放大的 hybrid ArF laser。应用背景包括先进光刻、干涉曝光、DUV 计量检测、精密微加工及高相干深紫外光源平台。
波长目标:193.3-193.4 nm,特指ArF激光输出最强线193.368 nm。
种子目标:窄线宽、单纵模、高空间相干、ns 或亚 ns 级脉冲同步输出。
放大目标:利用 ArF 气体放电增益,把毫瓦到瓦级种子放大至数十瓦至百瓦级平均功率。
参考设备:Gigaphoton/Komatsu 的注入锁定 ArF 平台和公开 hybrid laser 专利/论文。
公开调研依据
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证据类型 |
内容 |
判断 |
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公司/产品 |
Gigaphoton 官网显示其股东为 Komatsu Ltd.,并长期发布 ArF 光刻准分子激光器产品。 |
可确认 |
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产品指标 |
GT40A、GT62A、GT65A、GT80A 等 ArF immersion 光源公开给出 193 nm、kHz 重频、数十瓦至 90 W 级指标。 |
可确认 |
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混合路线 |
Gigaphoton 专利描述 solid-state laser apparatus 输出 193.4 nm seed light,经 ArF excimer amplifier 多程放大。 |
可确认 |
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实验样机 |
论文/会议摘要报道固体 193 nm 种子注入 ArF 放大器获得约 110 W 级平均功率。 |
公开摘要确认 |
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产品化程度 |
公开资料没有显示 hybrid ArF 已作为标准量产型号销售;判断是面向下一代高相干 ArF 的技术储备/样机路线。 |
工程推断 |
技术路线总览
混合 193 nm ArF 激光器不是简单的准分子振荡器,而是把“固体窄线宽种子”和“ArF 准分子功率放大”分成两个功能模块:
固体种子模块产生 193.4 nm (193.368nm)高相干、窄线宽、可同步的种子脉冲。
光束整形模块调节束径、发散角、偏振、能量稳定性和相位分布,使其匹配 ArF 放大腔。
ArF 放大模块在受控放电窗口内对种子脉冲进行单程或多程放大。
输出整形与稳定模块完成能量反馈、谱宽监测、波前/指向稳定、窗口污染监控和安全联锁。
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功能模块 |
关键技术 |
工程关注点 |
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SLM/窄线宽种子 |
1030 nm + 1550 nm 非线性变频、CLBO/LBO、OPA 或 Er/Yb 光纤源 |
线宽、脉冲能量、UV 转换效率、晶体寿命 |
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光束匹配 |
扩束、柱面镜、随机相位板、偏振与时间同步 |
发散角、束匀化、ASE 占比、注入效率 |
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ArF 放大器 |
Ar/F2/Ne 气体放电、三程/多程通过增益区 |
增益窗口、电极寿命、气体纯度、窗口污染 |
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输出控制 |
能量闭环、谱宽监测、波前监测、热管理 |
长时间稳定性、剂量控制、光学损伤阈值 |
固体 193 nm 种子源方案
公开论文中最清晰的一条路线是1030 nm Yb-hybrid 支路与 1553 nm Er-fiber 支路组合:1030 nm 先经 LBO 非临界相位匹配 SHG 产生 515 nm,再经 CLBO FHG 得到 258 nm;1553 nm 与 258 nm 在 CLBO 中完成第一级 SFG 产生 221 nm,剩余 1553 nm 再与 221 nm 完成第二级 SFG,最终得到 193 nm 相干输出。这一路线绕开了直接在 193 nm 构建固体增益介质的困难,把核心挑战转移到高峰值功率窄线宽红外源、深紫外非线性晶体和损伤管理上。

图1. 固体 193 nm 种子源原理示意:1030 nm Yb-hybrid 支路经 LBO/CLBO 得到 258 nm,1553 nm Er-fiber 支路参与两级 CLBO SFG,最终得到 193 nm 窄线宽种子光。
1030 nm 支路:可由 Yb-hybrid 系统产生,经 LBO 非临界相位匹配 SHG 得到 515 nm,再经 CLBO FHG 得到 258 nm。
1553 nm 支路:由 Er-fiber 系统产生,先与 258 nm 完成第一级 SFG 产生 221 nm,剩余 1553 nm 再参与第二级 SFG。
193 nm 生成:通过 CLBO 等晶体完成和频/级联变频。CLBO 在 DUV 透明性和非线性效率方面有优势,但对湿度、热管理和损伤控制敏感。
典型目标:mW-W 级 193 nm 种子功率、pm 或 sub-pm 级谱宽、kHz 级重频、与 ArF 放电窗口 ns 级同步。
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公开结果 |
指标 |
意义 |
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2015 Optics Express |
193 nm、约 310 mW、6 kHz、约 51 uJ,面向 injection-locking ArF seed |
证明固体窄线宽 193 nm 种子可达百毫瓦级 |
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2017/2018 Optics Express |
固体 193 nm 相干光约 1 W 级 |
把种子源推到更适合高功率放大的水平 |
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2020ASSL /Gigaphoton |
OPA-based compact 193 nm seed,约 110 mW,E95 约 0.50 pm |
显示更紧凑、工程化的种子源方向 |
从Gigaphoton公开论文的历史沿革来看,对于利用193nm全固态激光器做为ArF紫外光刻激光器的种子源,大致有以下的一些描述值得注意:
做为ArF紫外光刻激光器的种子,2015年的文献显示种子激光输出330mW@193nm且大致认为种子光200mW平均功率或以上则具备实用意义,而2020年文献显示种子源110mW@193nm但未标识是否已匹配ArF放大器。
做为ArF紫外光刻激光器的种子 4GHz的FWHM线宽已具备入门要求,而如考虑到浸没曝光和多次曝光等提升制程分辨率的进阶要求,则种子激光线宽则必须FWHM<1GHz且越窄越好。
对于光刻应用而言,定义95%激光能量作用的范围最具工程品控意义,所以E95定义下的线宽指标比FWHM半高全宽更具实际意义(E95即95%能量下的参数指标,一般而言E95比FWHM半高全宽在线宽数值上要大4到5倍);引文中GigaPhoton的E95 线宽约 0.50 pm; 而参比的德国Xiton公司Ixio-193-SLM激光器E95指标0.11pm显然线宽更窄。

德国Xiton公司Ixion-193-SLM激光器的线宽E95是0.111pm; FWHM是0.022pm
文中有提及的紫外非线性晶体寿命问题确实是在工程应用上的一个关键问题,无论是多级次倍频还是级次倍频后的合频其”木桶原则”的最短板均在最后一级紫外非线性晶体上。
一般而言有两个取舍路线是:其一是为了最终获得尽可能高的平均功率则适当加大激光光斑直径以避免损伤紫外晶体;其二是舍弃最高平均功率路线,用较小的激光光斑获得较低的平均功率,此时块状的紫外非线性晶体上仅有约1%-3%的晶体参与工作,而用户在此工作点数百小时工作导致了工作点衰减过限后可以移动工作点到相邻位置继续工作,一般而言采用移动工作点的手段就可以将数百小时左右到1千小时每点的深紫外晶体工作寿命延长到和泵浦半导体激光器齐平的上万乃至十万小时工作寿命。
正因如此,一般而言商业装机的193nm全固态激光SLM种子源其平均功率输出不大可能直接采用科研文献的功率极值,而很可能是工作平均功率弱几倍但是种子激光寿命或连续无故障工作时间高上百倍。这个设计思路是在设计工程机型时即建议兼顾的。
ArF 准分子放大与注入锁定
传统 ArF 光刻光源通常采用窄线宽主振荡器与功率放大器组合,即 master oscillator power amplifier 或 injection locked architecture。主振荡器负责谱宽,放大器负责能量。混合路线进一步把主振荡器替换为固体 193 nm 种子,使输出相干性和可控性上限提升。
引入了全固态193nm种子源,自然在能耗上远低于利用传统准分子激光加棱镜光栅等线宽压缩选择器的ArF种子源,更重要的优点是激光光斑模式更趋近TEM00模,空间相干性更强和更容易控制与优化的波前。

Gigaphoton 专利公开的 hybrid laser system 包含 solid-state laser apparatus、phase modulator/random phase plate、ArF excimer amplifier 和多程光路。专利文本描述了种子光约 193.4 nm,放大器内为 Ar/F2/Ne 气体,种子光可三次通过放电空间以提升增益。
工程含义:这说明小松/Gigaphoton 的技术路线不是把 ArF 振荡器完全丢掉,而是复用其最有工业价值的高功率气体放电放大能力,同时用固体种子改善相干性、谱宽与波前可控性。
Gigaphoton/Komatsu 产品基础
Gigaphoton 是小松系半导体准分子激光器厂商,其公开产品主要面向 ArF immersion 光刻。虽然现有量产型号多为传统注入锁定准分子光源,但它们为 hybrid ArF 提供了气体模块、放电电源、谱宽控制、剂量控制和长期运行平台基础。
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型号 |
公开特点 |
典型指标/备注 |
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GT40A |
第三代注入锁定 ArF 光源 |
193 nm,45 W,4 kHz,FWHM 约 0.2 pm,E95 约 0.5 pm |
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GT62A |
第四代注入锁定平台 |
193 nm,60/90 W,6 kHz,E95 < 0.35 pm |
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GT65A |
第七代注入锁定 ArF immersion |
>=60 W,6 kHz,10-20 mJ,可变谱宽, E95 0.20-0.45 pm |
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GT80A |
较新 ArF immersion 产品线 |
60-90 W,6.75 kHz,E95 约 0.3 pm wafer average |
与传统 ArF 光源的差异
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维度 |
传统注入锁定 ArF |
固体种子 + ArF 放大混合路线 |
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相干性 |
由准分子主振荡器和线窄化模块决定,空间相干性有限 |
固体种子可提供更高空间相干性和更可控波前 |
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功率 |
成熟,数十瓦至 90 W 级产品化 |
放大端可借助 ArF 平台达到百瓦级,但产品化证据较少 |
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谱宽 |
成熟的线窄化和计量控制 |
种子谱宽可更窄,但放大后的谱保持和 ASE 需管理 |
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系统复杂度 |
气体、电极、线窄化模块复杂但成熟 |
额外增加深紫外固体变频、同步和种子维护复杂度 |
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适用场景 |
主流 ArF immersion 光刻 |
高相干干涉曝光、计量、特殊光刻/微加工 |
关键工程难点
• DUV 光学与材料寿命
193 nm 光子能量高,对 CaF2/MgF2 窗口、反射镜镀膜、CLBO 晶体、密封材料和残余有机污染极为敏感。高平均功率下,吸收、色心、污染沉积和微损伤会导致透过率下降、波前畸变和运行寿命缩短。
• 种子源能量与放大 ASE
• ns 级同步与多程放大
• 气体、电极与窗口污染
• 光束匹配与曝光机兼容
公开资料来源:
Gigaphoton GT40A 产品页;
推荐产品
1. Xiton公司 Ixion-193-SLM商品种子激光器
| 型号 | IXION-193-SLM | IXION-193-SLM-50 | IXION-193-SLM-LC |
| 分类 | 标准款 | 更高功率款 | 更窄线宽款 |
| 平均功率 | 10 mW | 50 mW | 3 mW |
| 光谱线宽 | <80 MHz | <100 MHz | <60 MHz |
| 相干长度 | >2m | >1.5m | >2.5m |
| 重复频率 | 6 kHz | ||
| M² | <1.4 | ||
| 波长可调谐范围 | >80 GHz ⇔10 pm | ||
与上述科研单位的193nm单频窄线宽种子激光器可做参比的是,德国Xiton公司已有商品化的193nm单频种子激光器,其标准款10mW输出光谱FWHM线宽<80MHz;E95线宽0.111pm,波长精确输出在193.368nm。
激光可内置激光波长计,波长精确输出在193.368nm,且可准确的在10pm范围内调谐,所以其标准应用之一是校准图中的LTB高精细度中阶梯光谱仪。
更高功率款Ixion-193-SLM-50其输出功率50mW,相干长度>1.5m,适合于超高精细度的半导体晶圆检测。(50mW输出相对于本文中提及的193nm光刻激光所需200mW以上的种子激光功率尚显不足,其原因之一是Ixion-193采用的最终级193nm深紫外合频晶体是多工作点可转移式架构,延长工作寿命到万小时以上但牺牲了上限功率输出)
适合7天24小时工业化应用,激光器全部控制操作均可通过软件运行。
是否有机会进一步修改机型,将193nm单频激光器输出提升至200mW以上,客户可联系Xiton公司在华代理TEO先锋泰坦详细讨论。
2. Raicol公司 CLBO、LBO、BBO、PPLN 晶体
3. SRS公司 DG535/DG645皮秒精度时间延迟发生器

如果是客户自研种子激光注入的193nm ArF激光器,无论是种子激光内部时序同步,还是种子激光与193nm ArF激光放大器的时序同步,普遍要求时序同步准确度好于2ns,美国SRS公司的DG535或DG645可以轻松准确地完成
4. Ophir公司激光功率能量计/激光光束品质分析仪

Ophir公司有针对193nm激光检测专门优化的激光功率探头,激光能量探头和激光光束品质分析仪以及扩束/缩束附件。
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