PSEL制冷型InGaAs短波红外相机
                            简  述:
                            
                        PSEL 公司使用的InGaAs 阵列短波红外相机,具有极低低暗电流和低缺陷像素数。得益于高效的冷却和稳定的偏置基线,PSEL 的短波红外InGaAs 相机可以在SWIR 光谱中进行精确的计量测量。Camera Link 和千兆以太网视觉兼容的界面接口使相机集成到客户现有系统变得很容易。具有可见光扩展的640 x 512 VGA SWIR 芯片以及320 x 256 分辨率的qVGA 两种选择。
                        
                            品  牌:
                            
                        
                                                                    英国 PhotonicScience                                
                            
                        
                            产品型号:
                            
                                                                
                        
                    - PSEL VGA 15μm
PSEL 公司使用的InGaAs 阵列短波红外相机,具有极低低暗电流和低缺陷像素数。得益于高效的冷却和稳定的偏置基线,PSEL 的短波红外InGaAs 相机可以在SWIR 光谱中进行精确的计量测量。Camera Link 和千兆以太网视觉兼容的界面接口使相机集成到客户现有系统变得很容易。具有可见光扩展的640 x 512 VGA SWIR 芯片以及320 x 256 分辨率的qVGA 两种选择。
有特殊要求项目或冷却选项的OEM 客户自定义版本可用于集成到客户特定的仪器/ 系统中。

PSEL制冷型InGaAs短波红外相机主要特征:
• 14bit 数字化读出/16bit 影像处理;
• 读出噪音低至 30-120e-
• 帧频 >110fps;
• 完美线性响应在不同强度或曝光;
• 千兆以太网/ Camera Link 接口
• 提供SDK 软件开发包和Labview VI
有特殊要求项目或冷却选项的OEM 客户自定义版本可用于集成到客户特定的仪器/ 系统中。

PSEL制冷型InGaAs短波红外相机主要特征:
• 14bit 数字化读出/16bit 影像处理;
• 读出噪音低至 30-120e-
• 帧频 >110fps;
• 完美线性响应在不同强度或曝光;
• 千兆以太网/ Camera Link 接口
• 提供SDK 软件开发包和Labview VI
PSEL制冷型InGaAs短波红外相机主要应用:
• IC器件检测、IC工艺过程检测
· 短波红外嵌入式视觉加强系统
· 短波红外机载装备
· 太阳能电池的光致发光
· 天文
· 高光谱成像
· 激光束整形
技术参数:
	
		


IC 版显微发光成像—水冷SWIR InGaAs 相机, 20倍物镜,曝光时间30s
 
 
MEMS 圆片透射显微红外成像—使用SWIR InGaAs 相机,6x 物镜,曝光时间15ms
• IC器件检测、IC工艺过程检测
· 短波红外嵌入式视觉加强系统
· 短波红外机载装备
· 太阳能电池的光致发光
· 天文
· 高光谱成像
· 激光束整形
技术参数:
| 型号 | PSEL VGA 15μm  | PSEL qVGA 30μm  | 
| 光谱响应范围 | 900-1700nm  | |
| 帧频 | 174fps( 在全VGA 分辨率下) 570fps( 在1/4 VGA 分辨率下) 7200fps( 640x4分辨率或光谱模式)  | 110 fps 在全幅qVGA 分辨率 | 
| 芯片尺寸 | 9.6mmx7.68mm  | |
| 像素分辨率 | 640x512 像素  | 320x256 像素 | 
| 单像元大小 | 15um x 15um  | 30um x 30um  | 
| 满阱容量 | 20k-23k e-( 高增益模式)  80k-105ke-( 中增益模式)  1000K-1500k e-( 低增益模式)  | 110k-150k e- (高增益模式)  1500k-2200k e- ( 低增益模式)  | 
| 读出噪声 | 28-38e-( 高增益模式)  50-77e-( 中增益模式)  500-800e-( 低增益模式)  | 110-200e-( 高增益模式)  1000-1590e-( 低增益模式)  | 
| 制冷温度 | -25° C ( 风冷); -40° C ( 水冷)  | -20° C ( 风冷); -40° C ( 水冷)  | 
| 暗电流 | <0.7fA(风冷); <0.1fA ( 水冷)  | <8 fA(风冷); <0.5fA ( 水冷)  | 
| A/D  | 14-bit 数字化读出,16-bit 数字化处理 | |
| 曝光时间 | 30us - 1 min  | 1us-1s  | 
| QE@ 1500 nm  | 80%  | |


IC 版显微发光成像—水冷SWIR InGaAs 相机, 20倍物镜,曝光时间30s
 
 MEMS 圆片透射显微红外成像—使用SWIR InGaAs 相机,6x 物镜,曝光时间15ms







































































































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