OSI硅光电二极管
- CD-1705
- PIN-2DPI
- PIN-125DPL
- PIN-3CDP
- PIN-3CDPI
- PIN-5DP
- PIN-5DPI
- PIN-13DP
- PIN-13DPI
- PIN-6DP
- PIN-6DPI
- PIN-44DP
- PIN-44DPI
- PIN-10DP
- PIN-10DPI
- PIN-220DP
- PIN-25DP
- OSD1-0
- OSD5-0
光伏光电二极管系列：高灵敏度、中等响应速度，光谱范围350–1100 nm（蓝增强型在350–550 nm更优）。具有高并联电阻、低噪声、长期稳定，无偏压工作适合DC/低速场合；光照>10 mW/cm²时建议改用光导型以改善线性。禁止施加>3 V反向偏压，否则永久损坏；如需更快响应，请选光导型。
应用：比色计、光度计、光谱仪、荧光检测。
|
型号 |
光敏面积 |
峰值波长 |
响应度 |
分流电阻 |
电容 |
上升时间 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CD-1705 |
0.88 mm² |
850 nm |
0.6 A/W |
10 GΩ |
70 pF |
2000 ns |
Plastic |
|
PIN-2DPI |
1.1 mm² |
970 nm |
0.6 A/W |
10 GΩ |
150 pF |
30 ns |
TO-18 |
|
PIN-125DPL |
1.6 mm² |
970 nm |
0.6 A/W |
10 GΩ |
160 pF |
30 ns |
TO-18 |
|
PIN-3CDP |
3.2 mm² |
970 nm |
0.6 A/W |
5.0 GΩ |
320 pF |
50 ns |
TO-18 |
|
PIN-3CDPI |
3.2 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
5.0 GΩ |
320 pF |
50 ns |
TO-18 |
|
PIN-5DP |
5.1 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
4 GΩ |
500 pF |
60 ns |
TO-5 |
|
PIN-5DPI |
5.1 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
4 GΩ |
500 pF |
60 ns |
TO-5 |
|
PIN-13DP |
13 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
3.5 GΩ |
1200 pF |
150 ns |
TO-5 |
|
PIN-13DPI |
13 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
3.5 GΩ |
1200 pF |
150 ns |
TO-5 |
|
PIN-6DP |
16.4 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
2 GΩ |
2000 pF |
220 ns |
TO-8 |
|
PIN-6DPI |
16.4 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
2 GΩ |
2000 pF |
220 ns |
TO-8 |
|
PIN-44DP |
44 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
1.0 GΩ |
4300 pF |
475 ns |
TO-8 |
|
PIN-44DPI |
44 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
1.0 GΩ |
4300 pF |
475 ns |
TO-8 |
|
PIN-10DP |
100 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
0.20 GΩ |
9800 pF |
1000 ns |
BNC |
|
PIN-10DPI |
100 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
0.20 GΩ |
9800 pF |
1000 ns |
Low Profile |
|
PIN-220DP |
200 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
0.20 GΩ |
20000 pF |
2200 ns |
Plastic |
|
PIN-25DP |
613 mm² |
970 nm |
0.60 A/W |
0.1 GΩ |
60000 pF |
6600 ns |
BNC |
特点：高速、低电容、低暗电流、宽动态范围、高响应度。
应用：脉冲检测、光通信、条码、遥控、医疗、高速光度测量。
|
型号 |
光敏面积 |
峰值波长 |
响应度 |
暗电流 |
电容 |
上升时间 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
OSD1-0 |
1 mm² |
900 nm |
0.54 A/W |
1 nA |
3 pF |
10 ns |
TO-18 |
|
OSD5-0 |
5 mm² |
900 nm |
0.54 A/W |
5 nA |
8 pF |
8 ns |
TO-5 |
|
OSD15-0 |
15 mm² |
900 nm |
0.54 A/W |
8 nA |
20 pF |
9 ns |
TO-5 |
|
OSD35-0 |
35 mm² |
900 nm |
0.54 A/W |
12 nA |
46 pF |
12 ns |
TO-8 |
|
OSD60-0 |
58 mm² |
900 nm |
0.54 A/W |
15 nA |
75 pF |
14 ns |
TO-8 |
|
OSD100-0A |
100 mm² |
900 nm |
0.54 A/W |
30 nA |
130 pF |
19 ns |
Special |
|
PIN-020A |
0.20 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.01 nA |
1 pF |
6 ns |
TO-18 |
|
PIN-040A |
0.81 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.05 nA |
2 pF |
8 ns |
TO-18 |
|
PIN-2DI ‡ |
1.1 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.1 nA |
5 pF |
10 ns |
TO-18 |
|
PIN-3CD |
3.2 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.15 nA |
12 pF |
10 ns |
TO-18 |
|
PIN-3CDI |
3.2 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.15 nA |
12 pF |
10 ns |
TO-18 (Isolated) |
|
PIN-5D |
5.1 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.25 nA |
15 pF |
12 ns |
TO-5 |
|
PIN-5DI |
5.1 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.25 nA |
15 pF |
12 ns |
TO-5 (Isolated) |
|
PIN-13D |
13 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.35 nA |
40 pF |
14 ns |
TO-5 |
|
PIN-13DI |
13 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.35 nA |
40 pF |
14 ns |
TO-5 (Isolated) |
|
PIN-6D |
16.4 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.5 nA |
60 pF |
17 ns |
TO-8 |
|
PIN-6DI |
16.4 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
0.5 nA |
60 pF |
17 ns |
TO-8 (Isolated) |
|
PIN-44D |
44 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
1 nA |
130 pF |
24 ns |
TO-8 |
|
PIN-44DI |
44 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
1 nA |
130 pF |
24 ns |
TO-8 (Isolated) |
|
PIN-10D |
100 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
2 nA |
300 pF |
43 ns |
BNC |
|
PIN-10DI |
100 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
2 nA |
300 pF |
43 ns |
Low Profile |
|
PIN-25D |
613 mm² |
970 nm |
0.65 A/W |
15 nA |
1800 pF |
250 ns |
BNC |
位置探测器系列：基于双面横向技术，输出与光斑位移成比例，在 64% 感测区内精度达 99%，支持一维/二维测量。需施加反向偏压以优化高光强线性度；最大功率密度 1 mW/cm²，光束垂直入射且光斑 <1 mm。
特点：超线性、高精度、宽动态、高可靠、双面结构。
应用：光束对准、位置/角度/轮廓/高度测量、瞄准、制导、运动分析
一维位置探测器
|
型号 |
光敏面积 |
光敏面积尺寸 |
位置检测误差 |
电极间电阻(min) |
响应度 |
暗电流 |
电容 |
上升时间 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SL3-1 |
3 mm² |
3 x 1 mm |
3 µm |
15 kΩ |
0.4 A/W |
5 nA |
3 pF |
0.04 µs |
TO-5 |
|
SL5-1 |
5 mm² |
5 x 1 mm |
5 µm |
20 kΩ |
0.4 A/W |
10 nA |
5 pF |
0.10 µs |
TO-8 |
|
SL3-2 |
3 mm² |
3 x 1 mm |
3 µm |
15 kΩ |
0.4 A/W |
5 nA |
3 pF |
0.04 µs |
8-PIN DIP |
|
SL5-2 |
5 mm² |
5 x 1 mm |
5 µm |
20 kΩ |
0.4 A/W |
10 nA |
5 pF |
0.10 µs |
8-PIN DIP |
|
SL15 |
15 mm² |
15 x 1 mm |
15 µm |
60 kΩ |
0.4 A/W |
150 nA |
15 pF |
0.60 µs |
25-PIN DIP |
|
SL30 |
120 mm² |
30 x 4 mm |
30 µm |
40 kΩ |
0.4 A/W |
150 nA |
125 pF |
1.00 µs |
Ceramic |
|
SL76-1 |
190 mm² |
76 x 2.5 mm |
76 µm |
120 kΩ |
0.4 A/W |
100 nA |
190 pF |
14.00 µs |
Special |
二维位置探测器
|
型号 |
光敏面积 |
光敏面积尺寸 |
位置检测误差 |
电极间电阻(min) |
响应度 |
暗电流 |
电容 |
上升时间 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DL-2 |
4 mm² |
2 x 2 mm |
30 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
30 nA |
10 pF |
0.03 µs |
TO-8 |
|
DLS-2 |
4 mm² |
2 x 2 mm |
30 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
10 nA |
8 pF |
0.03 µs |
TO-8 |
|
DLS-2S |
4 mm² |
2 x 2 mm |
30 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
10 nA |
8 pF |
0.03 µs |
TO-5 |
|
DL-4 |
16 mm² |
4 x 4 mm |
50 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
50 nA |
35 pF |
0.08 µs |
TO-8 |
|
DLS-4 |
16 mm² |
4 x 4 mm |
50 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
25 nA |
30 pF |
0.08 µs |
TO-8 |
|
DL-10 |
100 mm² |
10 x 10 mm |
100 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
500 nA |
175 pF |
0.20 µs |
Special |
|
DL-20 |
400 mm² |
20 x 20 mm |
200 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
2000 nA |
600 pF |
1.00 µs |
Special |
|
DLS-10 |
100 mm² |
10 x 10 mm |
100 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
50 nA |
160 pF |
0.20 µs |
Ceramic |
|
DLS-20 |
400 mm² |
20 x 20 mm |
200 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
100 nA |
580 pF |
1.20 µs |
Ceramic |
|
DL-10C |
100 mm² |
10 x 10 mm |
100 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
500 nA |
175 pF |
0.60 µs |
Ceramic |
|
DL-20C |
400 mm² |
20 x 20 mm |
200 µm |
5 kΩ |
0.4 A/W |
2000 nA |
600 pF |
1.00 µs |
Ceramic |
可焊接光电二极管芯片系列：低成本，大面积，带/不带引线，适用于一次性或易组装场景。分光导型（低电容、快响应）和光伏型（低噪声）。可提供裸芯片（订购去后缀 L）。输出可接电流计、电阻、示波器或放大器。
特点：大面积、多尺寸、高并联电阻、引线可选。
应用：太阳能、光监测、激光监测。
|
型号 |
芯片尺寸 |
感光面积 |
感光面积尺寸 |
峰值波长 |
响应度 |
暗电流 |
分流电阻 |
电容 |
|
光导系列 |
||||||||
|
S-4CL |
1.9 x 4.1 mm |
4.7 mm² |
1.7 x 2.8 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
20 nA |
- |
15 pF |
|
S-10CL |
2.5 x 5.1 mm |
9.6 mm² |
2.3 x 4.2 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
40 nA |
- |
30 pF |
|
S-25CRL |
3.4 x 10.5 mm |
25.4 mm² |
2.5 x 10.1 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
100 nA |
- |
95 pF |
|
S-25CL |
5.5 x 6.0 mm |
25.8 mm² |
5.1 x 5.1 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
100 nA |
- |
95 pF |
|
S-50CL |
3.4 x 20.6 mm |
51 mm² |
2.5 x 20.3 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
300 nA |
- |
200 pF |
|
S-80CL |
5.2 x 20.4 mm |
82.6 mm² |
4.1 x 20.1 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
500 nA |
- |
300 pF |
|
S-100CL |
10.5 x 11.00 mm |
93.4 mm² |
9.7 x 9.7 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
600 nA |
- |
375 pF |
|
S-120CL |
5.5 x 23.9 mm |
105.7 mm² |
4.5 x 23.5 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
800 nA |
- |
450 pF |
|
S-200CL |
10.2 x 21.0 mm |
189 mm² |
9.2 x 20.7 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
1200 nA |
- |
750 pF |
|
光伏系列 |
||||||||
|
S-4VL |
1.9 x 4.1 mm |
4.7 mm² |
1.7 x 2.8 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
10 MΩ |
370 pF |
|
S-10VL |
2.5 x 5.1 mm |
9.6 mm² |
2.3 x 4.2 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
8 MΩ |
750 pF |
|
S-25VL |
5.5 x 6.0 mm |
25.8 mm² |
5.1 x 5.1 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
5 MΩ |
2100 pF |
|
S-25VRL |
3.4 x 10.5 mm |
25.4 mm² |
2.5 x 10.1 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
5 MΩ |
2100 pF |
|
S-50VL |
3.4 x 20.6 mm |
51 mm² |
2.5 x 20.3 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
3 MΩ |
4000 pF |
|
S-80VL |
5.2 x 20.4 mm |
82.6 mm² |
4.1 x 20.1 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
2 MΩ |
6000 pF |
|
S-100VL |
10.5 x 11.00 mm |
93.4 mm² |
9.7 x 9.7 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
1 MΩ |
8500 pF |
|
S-120VL |
5.5 x 23.9 mm |
105.7 mm² |
4.5 x 23.5 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
0.5 MΩ |
10000 pF |
|
S-200VL |
10.2 x 21.0 mm |
189 mm² |
9.2 x 20.7 mm |
970 nm |
0.65 A/W |
- |
0.2 MΩ |
17000 pF |
双色探测器系列：用于远程测温，通过两波长辐射比值对照黑体曲线计算温度，不受发射率、污染物、移动目标及视线遮挡影响，适用于宽光谱需求。分三种：硅-硅（上层吸收短波，下层长波）、硅-铟镓砷（波长>1.1μm）、带TEC的硅-铟镓砷（温控，精度更高）。默认光伏模式（无偏压），允许加反向偏压（不超限）。
特点：紧凑、气密密封、低噪声、宽波长、远程测量、可选TEC。
应用：火焰测温、分光光度计、双波长检测、金属加工红外测温。
|
型号 |
探测器材料 |
感光面积 |
光谱范围 (nm)
|
峰值波长 (nm)
|
响应度 |
分流电阻 |
电容 |
上升时间 |
反向电压 |
峰值探测率 (cm√Hz/W)
|
封装类型 |
|
PIN-DSIn |
Si (top) |
2.54 mm² |
400 - 1100 |
950 |
0.45 A/W |
150 MΩ |
450 pF |
40 µs |
5 V |
1.2 x 1013 |
TO-5 |
|
InGaAs (Bottom) |
1.50 mm² |
1000 - 1700 |
1300 |
0.6 A/W |
1 MΩ |
300 pF |
4 µs |
2 V |
8.4 x 1011 |
TO-5 |
|
|
PIN-DSS |
Si (top) |
2.54 mm² |
400 - 1100 |
950 |
0.45 A/W |
500 MΩ |
70 pF |
40 µs |
5 V |
1.7 x 1013 |
TO-5 |
|
Si (bottom) |
2.54 mm² |
950 - 1100 |
1060 |
0.12 A/W |
500 MΩ |
70 pF |
150 µs |
5 V |
4.7 x 1012 |
TO-5 |
UV 增强光电二极管：反型层结构和平面扩散结构。
反型层结构：100% 量子效率，高并联电阻、低噪声，适合弱光；加偏压（5–10V）可改善均匀性和量子效率，电容较高但随偏压下降；700nm 以下温度稳定性好。
平面扩散结构：电容更低、响应更快，高光功率下线性更好，但响应度/量子效率略低。分 UVDQ（峰值 970nm）和 UVEQ（抑制近红外，峰值 720nm，并联电阻更高但电容也更大）。可加偏压或零偏压工作。
特点：反型层 100% QE、超高并联电阻；平面扩散红外抑制/高速/高稳定；优异 UV 响应。
应用：污染监测、医疗、UV 计量、光谱、水净化、荧光。
反型层结构UV增强光电二极管
|
型号 |
光敏面积 |
响应度@254nm |
分流电阻 |
电容 |
上升时间 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
UV-005 |
5.1 mm² |
0.14 A/W |
200 MΩ |
300 pF |
0.9 µs |
TO-5 |
|
UV-015 |
15 mm² |
0.14 A/W |
100 MΩ |
800 pF |
2 µs |
TO-5 |
|
UV-20 |
20 mm² |
0.14 A/W |
50 MΩ |
1000 pF |
2 µs |
TO-8 |
|
UV-35 |
35 mm² |
0.14 A/W |
30 MΩ |
1600 pF |
3 µs |
TO-8 |
|
UV-35P |
35 mm² |
0.14 A/W |
30 MΩ |
1600 pF |
3 µs |
Plastic |
|
UV-50 |
50 mm² |
0.14 A/W |
20 MΩ |
2500 pF |
3.5 µs |
BNC |
|
UV-100 |
100 mm² |
0.14 A/W |
10 MΩ |
4500 pF |
5.9 µs |
BNC |
|
UV-100L |
100 mm² |
0.14 A/W |
10 MΩ |
4500 pF |
5.9 µs |
Low Profile |
平面扩散结构UV增强光电二极管
|
型号 |
光敏面积 |
峰值波长 |
响应度@200nm |
分流电阻 |
电容 |
上升时间 |
窗口玻璃 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UV-005DQ |
5.7 mm² |
980 nm |
0.12 A/W |
1 GΩ |
65 pF |
0.2 µs |
Quartz |
TO-5 |
|
UV-005DQC |
5.7 mm² |
980 nm |
0.12 A/W |
1 GΩ |
65 pF |
0.2 µs |
Quartz |
Ceramic |
|
UV-013DQ |
13 mm² |
980 nm |
0.12 A/W |
0.8 GΩ |
150 pF |
0.5 µs |
Quartz |
TO-5 |
|
UV-035DQ |
34 mm² |
980 nm |
0.12 A/W |
0.1 GΩ |
380 pF |
1 µs |
Quartz |
TO-8 |
|
UV-035DQC |
34 mm² |
980 nm |
0.12 A/W |
0.4 GΩ |
380 pF |
1 µs |
Quartz |
Ceramic |
|
UV-100DQ |
100 mm² |
980 nm |
0.12 A/W |
0.2 GΩ |
1100 pF |
3 µs |
Quartz |
BNC |
|
UV-100DQC |
100 mm² |
980 nm |
0.12 A/W |
0.2 GΩ |
1100 pF |
3 µs |
Quartz |
Ceramic |
探测器-滤光片组合系列：将滤光片与光电二极管集成于一体，以实现定制化的光谱响应。提供多种标准及定制组合。可根据要求为所有探测器-滤光片组合提供 NIST 可溯源校准数据，单位可选 A/W、A/lm、A/lx 或 A/fc。标准型号包括：
PIN‑10DF（1 cm²，450‑950 nm 平坦响应，用于辐射测量，比热电堆灵敏千倍、稳定十倍）
PIN‑10AP（1 cm²，模拟 CIE 人眼曲线，匹配精度 <4%）
PIN‑555AP（同 PIN‑10AP，内置运放，兼容 UDT‑555D）
PIN‑005E‑550F（550 nm 峰值宽带滤光，模拟 CIE 用于光度，兼阻 700 nm 以上近红外）
PIN‑005D‑254F（6 mm²，UV 增强，254 nm 窄带滤波）
特点：CIE 匹配、平坦响应、254 nm 窄带、可选内置放大器、BNC 封装。
应用：分析化学、分光光度、密度计、光度/辐射测量、医疗、液相色谱。
|
型号 |
光敏面积 |
光敏面积尺寸 |
响应度 |
光谱匹配 |
分流电阻 |
电流 |
上升时间 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PIN-10DF |
100 mm² |
11.28 Φ mm |
0.15 A/W |
± 7% |
20 MΩ |
1500 pF |
0 µs |
BNC |
|
PIN-10AP-1 |
100 mm² |
11.28 Φ mm |
0.27 A/W |
4% (CIE Curve) |
20 MΩ |
1500 pF |
0.15 µs |
BNC |
|
PIN-555AP-1 |
100 mm² |
11.28 Φ mm |
0.27 A/W |
4% (CIE Curve) |
20 MΩ |
1500 pF |
0.1 µs |
Special |
|
PIN-005E-550F |
5.7 mm² |
2.4 Φ mm |
0.23 A/W |
- |
500 MΩ |
200 pF |
0.1 µs |
TO-5 |
|
PIN-005D-254F |
5.7 mm² |
2.4 Φ mm |
0.025 A/W |
- |
300 MΩ |
100 pF |
0.1 µs |
TO-5 |
E 系列光电二极管是蓝增强型探测器，配备高质量颜色校正滤光片，其光谱响应近似于人眼视觉响应。
特点：人眼响应匹配、TO 封装。
应用：光度/辐射测量、医疗、分析化学。
|
型号 |
光敏面积 |
光敏面积尺寸 |
响应度 |
暗电流 |
电容 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
OSD1-E |
1 mm² |
1.0 x 1.0 mm |
2.2 nA /Lux |
0.2 nA |
35 pF |
TO-18 |
|
ODS3-E |
3 mm² |
2.5 x 1.2 mm |
6.6 nA /Lux |
0.5 nA |
80 pF |
TO-18 |
|
OSD5-E |
5 mm² |
2.5 Φ mm |
11 nA /Lux |
0.5 nA |
130 pF |
TO-5 |
|
OSD15-E |
15 mm² |
3.8 x 3.8 mm |
33 nA /Lux |
2 nA |
390 pF |
TO-5 |
|
OSD60-E |
100 mm² |
11.3 Φ mm |
56 nA /Lux |
8 nA |
2500 pF |
TO-8 |
X-UV 探测器系列：无需闪烁体，直接探测 X 射线至紫外（0.07–200 nm，6 eV–17.6 keV），每 3.63 eV 产生一对电子-空穴，量子效率极高。加偏压可提速，无偏压适合低噪声低漂移，也覆盖 350–1100 nm 可见光。大于17.6 keV 请用全耗尽辐射探测器。
特点：直接探测、无需偏压、高QE、低噪声、真空/低温兼容、波长 0.07–1100 nm。
应用：电子/带电粒子检测、医疗、剂量、辐射监测、X 射线光谱。
|
型号 |
光敏面积 |
光敏面积尺寸 |
分流电阻 |
电容 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|
|
XUV-005 |
5 mm² |
2.57 Φ mm |
2000 MΩ |
0.3 nF |
TO-5 |
|
XUV-020 |
20 mm² |
5.00 Φ mm |
500 MΩ |
1.2 nF |
TO-8 |
|
XUV-035 |
35 mm² |
6.78 x 5.59 mm |
300 MΩ |
2 nF |
TO-8 |
|
XUV-100 |
100 mm² |
11.33 Φ mm |
100 MΩ |
6 nF |
BNC |
|
XUV-50C |
50 mm² |
8.02 Φ mm |
200 MΩ |
2 nF |
Ceramic |
|
XUV-100C |
100 mm² |
10 x 10 mm |
100 MΩ |
6 nF |
Ceramic |
大面积高速/辐射探测器：可完全耗尽以降低结电容、加快响应（纳秒级），高压偏压提升电场和电荷收集速度，不牺牲响应度和面积。辐射测量分间接（耦合闪烁体，适用于高能γ/电子，能量>17.6 keV）和直接（无环氧树脂/窗口，测α/重离子，需高偏压）。
特点：大面积、可全耗尽、快速、超低暗电流、低电容、高击穿电压，辐射型可配闪烁体。
应用：激光制导/告警/测距/对准、医疗、高能光谱、粒子检测、物理实验。
|
型号 |
光敏面积 |
峰值波长 |
响应度@900nm |
暗电流 |
分流电阻 |
电容 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
OSD35-LR-A |
34.2 mm² |
830 nm |
0.54 A/W |
- |
3 GΩ |
1300 pF |
Ceramic |
|
OSD35-LR-D |
34.2 mm² |
830 nm |
0.54 A/W |
- |
0.3 GΩ |
1300 pF |
Ceramic |
|
PIN-RD07 |
7.1 mm² |
900 nm |
0.55 A/W |
0.2 nA |
- |
8.0 pF |
TO-8 |
|
PIN-RD15 |
14.9 mm² |
900 nm |
0.58 A/W |
1.0 nA |
- |
14 pF |
TO-8 |
|
PIN-RD100 |
100 mm² |
950 nm |
0.60 A/W |
2 nA |
- |
50 pF |
Ceramic |
|
PIN-RD100A |
100 mm² |
950 nm |
0.60 A/W |
2 nA |
- |
40 pF |
Ceramic |
Nd:YAG 优化硅光电二极管：针对 1064 nm（Nd:YAG 激光波长）进行了响应度优化。它们具有低电容和快速响应时间。凭借低噪声和高响应度，非常适合测量弱光强度，例如测距应用中经 Nd:YAG 激光束照射物体后的反射光。
特点：1064 nm 高响应度、高击穿电压、大面积、高速、高精度。
应用：Nd:YAG 指向、激光定位、位置/轮廓测量、制导。
|
型号 |
光敏面积 |
光敏面积尺寸 |
峰值波长 |
响应度 |
暗电流 |
电容 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PIN-5-YAG |
5.1 mm² |
2.54 Φ mm |
1000 nm |
0.4 A/W |
10 nA |
5 pF |
TO-5 |
|
PIN-100-YAG |
100 mm² |
11.28 Φ mm |
1000 nm |
0.4 A/W |
80 nA |
25 pF |
Metal |
|
SPOT-9-YAG |
19.6 mm² |
10 Φ mm |
1000 nm |
0.4 A/W |
12 nA |
7 pF |
Metal |
|
SPOT-11-YAG-FL |
26 mm² |
11.5 Φ mm |
1000 nm |
0.42 A/W |
14 nA |
12 pF |
Metal |
|
SPOT-13-YAG-FL |
33.7 mm² |
13.1 Φ mm |
1000 nm |
0.42 A/W |
16 nA |
14 pF |
Metal |
|
SPOT-15-YAG |
38.5 mm² |
14.0 Φ mm |
1000 nm |
0.4 A/W |
50 nA |
15 pF |
Metal |
SPO2 专用发射管和接收管
OSI 公司的双波长 LED 发射管和接收管在SPO2 领域有着极高的产品认可度，是高端产品的代名词。在中高端血氧监测领域占据着绝大多数市场。
双波长发射管 DLED 包含一个 660nm 的红光 LED 和一个近红外LED，近红外波长 880nm、 895nm、 905nm、 940nm 可选。
LED发射管规格
|
型号 |
LED 1 峰值波长 |
LED 2 峰值波长 |
引脚配置 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|
|
DLED-660/880-CSL-2 |
660 nm |
880 nm |
2 Leads |
Plastic Mold Side View |
|
DLED-660/880-LLS-2 |
660 nm |
880 nm |
2 Leads |
Leadless Chip Career (LCC) |
|
DLED-660/895-CSL-2 |
660 nm |
895 nm |
2 Leads |
Plastic Mold Side View |
|
DLED-660/895-LLS-2 |
660 nm |
895 nm |
2 Leads |
Leadless Chip Career (LCC) |
|
DLED-660/905-CSL-2 |
660 nm |
905 nm |
2 Leads |
Plastic Mold Side View |
|
DLED-660/905-CSL-3 |
660 nm |
905 nm |
3 Leads |
Plastic Mold Side View |
|
DLED-660/905-LLS-2 |
660 nm |
905 nm |
2 Leads |
Leadless Chip Career (LCC) |
|
DLED-660/905-LLS-3 |
660 nm |
905 nm |
3 Leads |
Leadless Chip Career (LCC) |
|
DLED-660/940-CSL-3 |
660 nm |
940 nm |
3 Leads |
Plastic Mold Side View |
|
DLED-660/940-LLS-3 |
660 nm |
940 nm |
3 Leads |
Leadless Chip Career (LCC) |
OSI 针对 DLED 产品提供了完美的配套接收管，其在 660nm 和 IR 波段有着极高的灵敏度。配套接收管拥有较低的电容和暗电流，并提供多种型号选择。
接收管规格如下
|
型号 |
光敏面积 |
光敏面积尺寸 |
响应度@970nm |
暗电流 |
电容 |
上升时间 |
封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BPW-34 |
7.25 mm² |
2.69 x 2.69 mm |
0.6 A/W |
2 nA |
12 pF |
20 ns |
Plastic Mold |
|
BPW-34B |
7.25 mm² |
2.69 x 2.69 mm |
- |
2 nA |
12 pF |
20 ns |
Plastic Mold |
|
PIN-0.81-CSL |
0.81 mm² |
1.02 x 1.02 mm |
0.55 A/W |
2 nA |
10 pF |
11 ns |
Resin Mold |
|
PIN-0.81-LLS |
0.81 mm² |
1.02 x 1.02 mm |
0.55 A/W |
2 nA |
10 pF |
11 ns |
Leadless Ceramic |
|
PIN-4.0-CSL |
3.9 mm² |
2.31 x 1.68 mm |
0.55 A/W |
5 nA |
60 pF |
11 ns |
Resin Mold |
|
PIN-4.0-LLS |
3.9 mm² |
2.31 x 1.68 mm |
0.55 A/W |
5 nA |
60 pF |
11 ns |
Leadless Ceramic |
|
PIN-07-CSL |
8.1 mm² |
2.84 x 2.84 mm |
0.55 A/W |
5 nA |
85 pF |
50 ns |
Resin Mold |
|
PIN-07-FSL |
8.1 mm² |
2.84 x 2.84 mm |
0.55 A/W |
5 nA |
85 pF |
50 ns |
Resin Mold |
|
PIN-07-CSLR |
8.1 mm² |
2.84 x 2.84 mm |
0.55 A/W |
5 nA |
85 pF |
50 ns |
Resin Mold |
|
PIN-07-FSLR |
8.1 mm² |
2.84 x 2.84 mm |
0.55 A/W |
5 nA |
85 pF |
50 ns |
Resin Mold |
|
PIN-08-CSL-F |
8.4 mm² |
2.90 x 2.90 mm |
- |
10 nA |
25 pF |
75 ns |
Resin Mold |
|
PIN-8.0-CSL |
8.4 mm² |
2.90 x 2.90 mm |
0.55 A/W |
10 nA |
100 pF |
50 ns |
Resin Mold |
|
PIN-8.0-LLS |
8.4 mm² |
2.90 x 2.90 mm |
0.55 A/W |
10 nA |
100 pF |
50 ns |
Leadless Ceramic |
|
PIN-16-CSL |
16 mm² |
4.00 x 4.00 mm |
0.55 A/W |
5 nA |
330 pF |
100 ns |
Resin Mold |
13810233784
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